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PALAVRAS ALADAS, UNIDADES FRASEOLÓGICAS
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Palavras aladas, fraseologismo. Significado, história de origem, exemplos de uso

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A terra dos idiotas feios

Ilya Ilf e Evgeny Petrov
Ilya Ilf e Evgeny Petrov

Fraseologismo: A terra dos idiotas feios.

Significado: Sobre pessoas estranhas, absurdas, tacanhas (do ponto de vista do orador).

Origem: De Notebooks (publicado em 1966) pelo escritor soviético Ilya Ilf (1897-1937): A terra dos idiotas destemidos. É hora de ter medo. Presumivelmente, a fonte original da expressão é o título do livro de Mikhail Prishvin "Na terra dos pássaros destemidos. Região de Onego-Belomorsky" (1930).

Fraseologia aleatória:

Afinal, eu sou um verme em comparação com ele.

Significado:

Alguém tenta me fazer saber que ele é incomparavelmente superior e melhor do que eu, mas eu trato isso de acordo - com condescendência, com humor.

Origem:

Uma citação do poema de Beranger "The Noble Friend" ("Le senateur"), traduzido por V. S. Kurochkin (1856): "Afinal, eu sou um verme em comparação com ele! Sua Excelência ele mesmo." O romance de A. S. Dargomyzhsky "Worm" foi escrito com as palavras deste poema.

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A International Rectifier lançou uma série de IGBTs na fabricação dos quais a tecnologia de nova geração - Gen8 foi usada. Os novos transistores usam a mais recente tecnologia de chip IGBT "Field-stop trench" e são classificados para 1200 V. Os transistores estão disponíveis em pacotes TO-247 padrão da indústria.

Os novos transistores cobrem uma faixa de corrente de operação de 8A a 60A, têm um típico Vce(on)=1,7V e uma área de operação de curto-circuito segura (SCSOA) de até 10µs. Tudo isso permite reduzir as perdas de calor, aumentar a densidade de potência de saída e garantir alta confiabilidade dos sistemas industriais.

A nova tecnologia minimiza a inclinação de tensão dv/dt, reduzindo EMI e diminuindo os níveis de surto, tornando o Gen8 IGBT uma solução ideal para aplicações de inversores. A frequência de comutação desses transistores é de 0 a 8 kHz (faixa de velocidade rápida).

O advento desta nova tecnologia e plataforma de fabricação de IGBT de silício de última geração é o resultado dos esforços da IR para avançar a tecnologia em eletrônica de potência ao longo de várias décadas.

A meta da empresa é atingir 100% da possibilidade de utilizar seus componentes em inversores para controlar motores elétricos de diversas capacidades, a fim de utilizar a energia elétrica de forma mais eficiente e melhorar o meio ambiente.

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